市场狂飙存储芯片巨头上调报价

存储芯片进入新一轮涨价周期。12月24日，据韩国《朝鲜日报》消息，三星电子、SK海力士两大存储巨头已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。伴随存储现货价格全面持续上扬，市场分析指出，全球存储芯片市场已正式迈入新一轮成长周期。

本轮涨价背后，是供需两端的共同作用。供应方面，存储厂商预计明年第六代HBM（即HBM4）需求将增加，加大对其产能投入，导致HBM3E产能遭到积压。需求方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。

KB Securities分析指出，受专用芯片（ASIC）需求激增，以ASIC为主要客户的三星，2026年HBM总出货量将有望较2025年暴增3倍，预估将达111亿Gb。该机构预计，从明年第三季度起，HBM4将快速承接HBM3E的需求，2025年HBM市场中HBM4营收占比将达55%。

值得关注的是，美光科技在上周业绩会上同样释放了乐观信号。公司高管透露，公司2026年（日历年）全年HBM的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄。美光预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年达到1000亿美元（2025年为350亿美元），复合年增长率约40%。美光预计2026年资本支出将达200亿元，用于支持HBM和1-gamma DRAM供应。

摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进。

研究机构CFM数据显示，仅在2025年上半年，DRAM综合价格指数就大幅上涨了47.7%，NAND Flash（闪存芯片）综合价格指数上涨了9.2%。进入10月份以来，512Gb Flash Wafer（闪存晶圆）价格累计涨幅已超20%。

招商证券分析称，预计存储产业后续DRAM和NAND资本开支将会持续增长，但对2026年产能助力有限，预计2026年DRAM和NAND资本开支分别同比增长14%和5%，但扩产次序还是优先AI高端存储，NAND类相对靠后。

同时，爱建证券指出，与前两轮由消费电子驱动的周期不同，本轮涨价周期源于智能手机和服务器的双重需求共振。iPhone在2025年完成存储容量升级后，该机构判断其内存容量有望在2026年迎来再次升级。如此密集的持续升级，有望助推全球存储芯片市场涨价周期在2026年延续，存储行业将开启新一轮发展周期。

当前，英伟达、亚马逊、谷歌和AMD（超威）这四家自主研发AI芯片的公司占据了HBM需求的95%。同时，国内包括阿里巴巴、百度、字节跳动、腾讯等科技巨头也在大力增加资本支出规模加码AI投入，进一步推高需求。

随着存储芯片价格快速上涨，苹果将扩大其iPhone存储芯片的三星采购占比。

这一转变预计将导致三星供应iPhone 17中约60%至70%的低功耗动态随机存取存储器（DRAM），而在前几代机型中，三星与SK海力士的供应份额更为均衡，美光则以较小份额参与供货。

iPhone搭载的是低功耗双倍数据率存储芯片（LPDDR），这类芯片经过专门优化，能够满足移动设备对能效和散热性能的严苛要求。

尽管三星、SK海力士和美光均具备大规模量产LPDDR的能力，但据业内消息，SK海力士和美光已逐步将产能转向高带宽内存（HBM）——这类产品在人工智能加速器与数据中心硬件领域需求旺盛。受此影响，这两家企业面向移动终端的LPDDR产能已严重受限。

相比之下，三星显然仍维持着通用型及移动终端专用DRAM的大规模生产，因此能够满足苹果对存储芯片的超大批量、高稳定性供应需求。

在SK海力士重心转向HBM的情况下，三星据悉成为唯一一家能够满足苹果严苛供货条件的供应商。

将更大比例的订单集中交给三星，有助于苹果获得更可预测的芯片交付，同时有望借助规模效应降低成本。